Samsung tengah menyiapkan pendekatan baru untuk memori di perangkat mobile yang ditujukan mendukung kebutuhan AI. Fokusnya bukan lagi sekadar RAM ponsel biasa, melainkan High Bandwidth Memory atau HBM yang selama ini lebih sering dipakai di server dan GPU kelas atas.
Langkah ini menjadi menarik karena beban komputasi AI di smartphone dan tablet terus meningkat. Perangkat genggam sekarang dituntut memproses data lebih cepat, tetap stabil, dan hemat daya di ruang internal yang sangat terbatas.
Dorongan ke arah memori berbandwidth tinggi
HBM dikenal menawarkan kecepatan lebih tinggi dan efisiensi daya yang lebih baik dibanding RAM tradisional. Jika teknologi ini benar-benar masuk ke ponsel dan tablet, perangkat mobile berpeluang menangani pemrosesan AI yang lebih berat langsung di dalam perangkat.
Kebutuhan seperti itu membuat memori menjadi komponen yang makin penting, bukan hanya chipset. Semakin banyak fitur AI dijalankan di perangkat, semakin besar pula tuntutan agar data bisa bergerak cepat antara memori dan prosesor.
Perubahan pada cara pengemasan chip
Di sisi lain, DRAM tradisional pada smartphone dan tablet masih memakai metode copper wire bonding. Cara ini memiliki keterbatasan pada jumlah jalur input-output, sehingga efisiensi transfer data dan pengendalian panas dinilai belum optimal untuk komputasi yang makin berat.
Untuk mengatasi hambatan tersebut, Samsung disebut akan memakai Fan-Out Wafer Level Packaging atau FOWLP. Metode pengemasan chip ini juga digunakan pada chipset seperti Exynos 2600.
FOWLP dinilai membantu meningkatkan ketahanan panas dan menjaga performa tetap stabil saat perangkat bekerja dengan beban berat. Teknologi ini juga diklaim dapat menambah jumlah terminal I/O dan mendorong bandwidth hingga 30 persen lebih tinggi.
Susunan chip bertingkat untuk ruang yang sempit
Selain FOWLP, Samsung juga dikabarkan mengembangkan Vertical Copper Post Stack atau VCS. Melalui metode ini, chip DRAM disusun bertingkat seperti tangga lalu dihubungkan dengan pilar tembaga berukuran sangat kecil.
Pendekatan itu dirancang agar bandwidth memori tetap bisa ditingkatkan meski ruang di dalam smartphone sangat sempit. Bagi perangkat AI, bandwidth besar penting supaya data bisa bergerak lebih cepat antara memori dan prosesor.
Laporan ETNews menunjukkan rasio tinggi pilar tembaga dalam teknologi VCS meningkat tajam. Rasio itu disebut naik dari sekitar 3-5:1 menjadi 15-20:1.
Tantangan teknis masih besar
Meski menjanjikan, pengembangan HBM untuk perangkat mobile tetap menghadapi hambatan teknis yang tidak kecil. Pilar tembaga yang terlalu kecil berisiko bengkok atau bahkan patah jika diameternya berada di bawah 10 mikrometer.
Karena itu, Samsung disebut memanfaatkan FOWLP untuk memperkuat struktur chip. Caranya dengan memperluas jalur kabel tembaga ke area luar agar struktur tetap kokoh sekaligus mendukung performa transfer data.
Pendekatan ini menunjukkan bahwa membawa HBM ke smartphone bukan perkara memindahkan teknologi server ke perangkat kecil. Samsung harus menjaga kinerja, stabilitas termal, daya tahan struktur, dan keterbatasan ukuran perangkat dalam satu rancangan yang seimbang.
Masih dalam tahap pengembangan
Belum ada kepastian kapan HBM versi mobile itu akan hadir secara resmi. Namun teknologi tersebut diperkirakan dapat muncul pada chipset Samsung generasi berikutnya, seperti Exynos 2800 atau Exynos 2900.
Minat terhadap HBM untuk perangkat mobile juga tidak datang dari Samsung saja. Apple disebut sedang mengeksplorasi penggunaan HBM untuk iPhone masa depan, sementara Huawei dikabarkan masih berada pada tahap penelitian.
Arah pengembangan ini memperlihatkan bahwa industri mulai melihat memori berbandwidth tinggi sebagai bagian penting dari evolusi AI di perangkat genggam. Meski adopsinya diperkirakan belum terjadi dalam waktu dekat, dorongan ke arah memori yang lebih cepat dan efisien tampak semakin jelas di tengah harga RAM mobile yang masih tinggi.