Samsung kembali menarik perhatian pasar memori dengan prototipe V-NAND kelas 900 lapis. Pencapaian ini membuat target chip 1.000 lapis terasa semakin dekat, terutama di saat kebutuhan penyimpanan untuk beban kerja AI terus meningkat.
Langkah tersebut bukan hanya soal mengejar angka yang lebih besar. Di baliknya, ada dorongan untuk menghadirkan kapasitas yang jauh lebih tinggi tanpa membuat konsumsi daya ikut melonjak tajam, sesuatu yang sangat penting bagi pusat data dan sistem AI yang haus efisiensi.
Cara baru menumpuk sel memori
Samsung disebut memakai metode Cell Multi-Bonding untuk mencapai level ini. Pendekatan tersebut menggabungkan dua tumpukan sel 450 lapis menjadi satu struktur terpadu, sehingga kepadatan bisa dinaikkan dengan cara yang lebih efektif.
Model seperti ini memberi gambaran bahwa peningkatan NAND berlapis tinggi tidak lagi hanya bergantung pada satu tumpukan yang makin sulit ditingkatkan. Teknik bonding mulai terlihat sebagai jalan yang lebih masuk akal ketika struktur tunggal mendekati batas fisiknya.
Menjawab tekanan dari AI dan pusat data
Kebutuhan penyimpanan saat ini bergerak ke arah media simpan yang lebih besar, lebih cepat, dan lebih efisien. Kondisi itu membuat produsen memori harus mencari cara agar kapasitas terus bertambah tanpa mengorbankan daya.
Dalam konteks itu, prototipe 900 lapis Samsung menjadi relevan karena menawarkan kepadatan yang lebih tinggi dengan beban energi yang tidak membengkak besar. Bagi pusat data, efisiensi semacam ini menjadi nilai penting saat lalu lintas data dan komputasi AI terus naik.
Tantangan manufaktur makin berat
Menaikkan jumlah lapisan NAND ke level setinggi ini bukan perkara mudah. Semakin kompleks struktur chip, semakin besar pula risiko masalah produksi yang harus dijaga tetap terkendali.
Salah satu hambatan utamanya adalah wafer warping, yaitu perubahan bentuk wafer selama proses pembuatan. Selain itu, penyelarasan antarlapisan menjadi semakin krusial ketika struktur chip makin padat dan rumit.
Samsung disebut mengatasi bagian ini lewat desain Upper Chuck yang ditingkatkan. Perusahaan juga memperbarui teknologi koreksi overlay agar akurasi penyelarasan tetap terjaga selama proses produksi chip.
Tidak berhenti di sana, Samsung turut menyempurnakan struktur bitline dan wordline. Perubahan itu membantu mengecilkan ukuran chip sekaligus mendukung efisiensi daya yang lebih baik.
Persaingan di NAND berlapis tinggi makin ketat
Di pasar NAND berlapis tinggi, SK Hynix saat ini memimpin pengiriman lewat produk 321 lapisnya. Posisi itu membuat persaingan di segmen memori canggih semakin sengit ketika kebutuhan komputasi berbasis data terus bertambah.
Yangtze Memory Technologies Co. juga bergerak cepat menuju NAND 300 lapis. Dengan dukungan lokal yang kuat, kehadiran perusahaan itu ikut menambah tekanan kompetitif di industri.
Dalam situasi seperti ini, prototipe 900 lapis memberi sinyal bahwa Samsung tidak hanya mengejar produk generasi dekat. Perusahaan juga menyiapkan landasan untuk lompatan teknologi berikutnya.
Samsung disebut tengah mempersiapkan NAND 400 lapis untuk produksi. Sementara itu, riset untuk lapisan yang jauh lebih tinggi tetap berjalan, sejalan dengan arah industri yang mulai meninggalkan pendekatan single-stack tradisional.
Prototipe 900 lapis ini sendiri masih berada pada tahap riset dan belum masuk produksi massal. Namun, arah pengembangannya sudah memperlihatkan bagaimana teknik bonding bisa menjadi salah satu jalur utama untuk mendekati target NAND 1.000 lapis.
Source: sammyguru.com